电过应力防护设计

课程简介：

    电过应力（Electrical OverStress，EOS）主要是指储存、生产、测试、使用过程中，因意外因素使元器件承受超过自身最大负荷能力的电应力（如过电压、过电流、过功率、过结温等）。电过应力会使器件功能降低或失效，器件损伤或完全烧毁。

EOS是元器件在使用过程中最常见的失效原因之一，据有关资料统计超过60%的器件失效是由于EOS导致的。随着微电子器件集成密度的提高和几何尺寸的缩小，其承受电过应力的能力越来越低，也就更容易产生电过应力失效。例如，0.35um工艺CMOS器件栅氧化层击穿电压约为16V左右；而0.13um工艺CMOS器件的栅氧化层击穿电压只有5V。因此，电子系统的电过应力防护问题日益显得突出和重要。

EOS是电子器件最主要的失效原因。我们必须要了解其失效模式和失效机理，熟悉常见的EOS来源，并掌握防护设计的方法。

课程主要内容：

1. 电过应力基础知识
2. 器件的电过应力失效
3. 电过应力主要来源及其防护设计

3.1 电浪涌

• 雷击浪涌
• 带电插拔
• 电源上下电
• 总线冲突
• 信号过冲
• 容性负载的接通
• 感性负载的断开
• 生产/测试设备/误操作引进浪涌

3.2 静电放电

• 静电放电的特点
• 静电放电的控制措施
• 静电放电防护器件选用
• 静电放电防护设计
• 过压防护器件及特性对比

3.3 器件闩锁

• 闩锁产生条件
• 闩锁触发源
• 防闩锁设计

3.4 直流过应力

4. 电过应力防护设计中对接口和电源以及接地的处理

4.1 接口防护设计

4.2 电源口防护设计

4.3 接地

培训对象：

　　硬件开发工程师、测试工程师、质量保证工程师、硬件经理、产品经理、研发经理、质量经理、生产经理等。